Új eredeti integrált áramkör BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC chip
BSZ040N06LS5
Az Infineon OptiMOS™ 5 teljesítményű MOSFET logikai szintje kiválóan alkalmas vezeték nélküli töltéshez, adapterekhez és távközlési alkalmazásokhoz.Az eszközök alacsony kaputöltése (Q g) csökkenti a kapcsolási veszteségeket a vezetési veszteségek veszélyeztetése nélkül.A továbbfejlesztett érdemi adatok lehetővé teszik a nagy kapcsolási frekvenciákon történő műveleteket.Ezenkívül a logikai szintű meghajtó alacsony kapuküszöböket biztosíttartási feszültség (V GS(th)), amely lehetővé teszi a MOSFET-ek 5 V-ról történő meghajtását közvetlenül a mikrokontrollerekről.
A funkciók összefoglalása
Alacsony RDS(on) kis csomagban
Alacsony kaputöltés
Alacsonyabb kimeneti töltés
Logikai szintű kompatibilitás
Előnyök
Nagyobb teljesítménysűrűségű kialakítások
Magasabb kapcsolási frekvencia
Csökkentett alkatrészszám mindenhol, ahol 5 V-os tápegységek állnak rendelkezésre
Közvetlenül mikrokontrollerről hajtva (lassú kapcsolás)
Rendszerköltség csökkentése
Paraméterek
Paraméterek | BSZ040N06LS5 |
Költségvetési ár €/1k | 0,56 |
Ciss | 2400 pF |
Coss | 500 pF |
ID (@25°C) max | 101 A |
IDpuls max | 404 A |
Beépítési | SMD |
Üzemi hőmérséklet min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 69 W |
Csomag | PQFN 3,3 x 3,3 |
Pin Count | 8 Pins |
Polaritás | N |
QG (4,5 V-os típus) | 18 nC |
Qgd | 5,3 nC |
RDS (be) (@4,5V LL) max | 5,6 mΩ |
RDS (be) (@4,5V) max | 5,6 mΩ |
RDS (be) (@10V) max | 4 mΩ |
Rth max | 1,8 K/W |
RthJA max | 62 K/W |
RthJC max | 1,8 K/W |
VDS max | 60 V |
VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |