order_bg

Termékek

AQX IRF7416TRPBF Új és eredeti integrált Circuit ic chip IRF7416TRPBF

Rövid leírás:


Termék leírás

Termékcímkék

Termékjellemzők

TÍPUS LEÍRÁS
Kategória Diszkrét félvezető termékek

Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Egyesek

Mfr Infineon Technologies
Sorozat HEXFET®
Csomag Szalag és orsó (TR)

Vágott szalag (CT)

Digi-Reel®

Termék állapota Aktív
FET típus P-csatorna
Technológia MOSFET (fém-oxid)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss) 30 V
Áram – Folyamatos leeresztés (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5,6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id 1V @ 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs (max.) ±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max.) @ Vds 1700 pF @ 25 V
FET funkció -
Teljesítmény disszipáció (max.) 2,5 W (Ta)
Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa Felületi rögzítés
Szállítói eszközcsomag 8-SO
Csomag/tok 8-SOIC (0,154 hüvelyk, 3,90 mm szélesség)
Alap termékszám IRF7416

Dokumentumok és média

ERŐFORRÁS TÍPUS LINK
Adatlapokat IRF7416PbF
Egyéb kapcsolódó dokumentumok IR alkatrészszámozási rendszer
Termék képzési modulok Nagyfeszültségű integrált áramkörök (HVIC kapumeghajtók)

Diszkrét tápellátású MOSFET-ek 40 V-os és az alatti

Kiemelt termék Adatfeldolgozó rendszerek
HTML adatlap IRF7416PbF
EDA modellek Ultra Librarian IRF7416TRPBF
Szimulációs modellek IRF7416PBF szablya modell

Környezetvédelmi és export osztályozások

TULAJDONSÁG LEÍRÁS
RoHS állapot ROHS3 kompatibilis
Nedvességérzékenységi szint (MSL) 1 (korlátlan)
REACH állapot REACH Nem érinti
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

További források

TULAJDONSÁG LEÍRÁS
Más nevek IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Standard csomag 4000

IRF7416

Előnyök
Sík sejtszerkezet a széles SOA-hoz
A terjesztési partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálva
Termékminősítés a JEDEC szabvány szerint
Szilícium 100 KHz alatti kapcsolási alkalmazásokhoz optimalizálva
Ipari szabvány, felületre szerelhető tápegység
Hullámforrasztható
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET SO-8 csomagban
Előnyök
RoHS-kompatibilis
Alacsony RDS (bekapcsolva)
Iparágvezető minőség
Dinamikus dv/dt minősítés
Gyors váltás
Teljesen Avalanche Rated
175°C Üzemi hőmérséklet
P-Channel MOSFET

Tranzisztor

A tranzisztor afélvezető eszközszokotterősítvagykapcsolóelektromos jelek éserő.A tranzisztor a modern kor egyik alapvető építőköveelektronika.[1]Ez állfélvezető anyag, általában legalább hárommalterminálokelektronikus áramkörhöz való csatlakoztatáshoz.AfeszültségvagyjelenlegiA tranzisztor egyik érintkezőpárjára alkalmazott áramot egy másik kapocspáron keresztül vezérli.Mivel a szabályozott (kimeneti) teljesítmény nagyobb lehet, mint a vezérlő (bemeneti) teljesítmény, a tranzisztor képes felerősíteni a jelet.Egyes tranzisztorok egyenként vannak csomagolva, de sokkal több található beágyazottanintegrált áramkörök.

osztrák-magyar fizikus Julius Edgar Lilienfeldjavasolta a koncepciót atérhatású tranzisztor1926-ban, de akkor még nem lehetett ténylegesen működő berendezést építeni.[2]Az első megépült működő készülék apont érintkező tranzisztoramerikai fizikusok találták fel 1947-benJohn BardeenésWalter Brattainalatti munka közbenWilliam Shockleynál nélBell Labs.Ők hárman osztoztak az 1956-banFizikai Nobel-díjteljesítményükért.[3]A legszélesebb körben használt tranzisztor típus afém–oxid–félvezető térhatású tranzisztor(MOSFET), amelyet azMohamed AtallaésDawon Kahnga Bell Labsban 1959-ben.[4][5][6]A tranzisztorok forradalmasították az elektronika területét, és megnyitották az utat a kisebbek és olcsóbbak felérádiók,számológépek, ésszámítógépek, többek között.

A legtöbb tranzisztor nagyon tiszta anyagból készülszilícium, és néhány agermánium, de néha bizonyos más félvezető anyagokat is használnak.Egy tranzisztornak csak egyféle töltéshordozója lehet, egy térhatású tranzisztorban, vagy kétféle töltéshordozója lehet.bipoláris átmenet tranzisztoreszközöket.Összehasonlítva avákumcső, a tranzisztorok általában kisebbek és kevesebb energiát igényelnek a működésükhöz.Egyes vákuumcsöveknek előnyei vannak a tranzisztorokkal szemben nagyon magas működési frekvencián vagy nagy üzemi feszültségen.Sokféle tranzisztort több gyártó szabványos specifikációi szerint gyárt.


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk